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99.95 % 순수 텅스텐 타겟, W1 ASTM B760

99.95 % 순수 텅스텐 타겟, W1 ASTM B760

텅스텐 티타늄 합금 스퍼터링 타겟은 반도체 칩, 새로운 태양 전지 및 세라믹 박막 회로에 대한 확산 장벽을 만드는데 사용될 수있다. 텅스텐 실리콘 합금 스퍼터링 타겟은 반도체 칩의 오믹 접촉 층에 사용될 수있다.

제품 정보


99.95 % 순수 텅스텐 W1 ASTM B760 대상

텅스텐 티타늄 합금 스퍼터링 타겟은 반도체 칩, 새로운 태양 전지 및 세라믹 박막 회로에 대한 확산 장벽을 만드는데 사용될 수있다.

텅스텐 실리콘 합금 스퍼터링 타겟은 반도체 칩의 오믹 접촉 층에 사용될 수있다.

유형

W (중량 %)

Ti (중량 %)

Si (중량 %)

순도 (wt %)

밀도(%)

결정립 크기 & (㎛)

크기 (최대 .mm)

WTi10

90 ± 0.5

10 ± 0.5

/

99.9-99.999

≥99

<>

? 400x40

≤1.6

WTi20

80 ± 0.5

20 ± 0.5

/

99.9-99.995

≥99

<>

? 400x40

≤1.6

WSi10

90 ± 0.5

/

10 ± 0.5

99.9-99.999

≥99

<>

? 400x40

≤1.6

WSi20

80 ± 0.5

/

20 ± 0.5

99.9-99.999

≥99

<>

? 400x40

≤1.6


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